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大超車 2018台積趕上英特爾

2016-03-28 09:212780
台積電10奈米、7奈米製程研發進度大幅超車。根據台積電共同執行長劉德音日前在美國研討會上指出,以7奈米試產具完整功能的128Mb靜態隨機存取記憶體(SRAM)良率已達30%,一年之後就可進入風險生產階段。由此來看,台積電先進製程技術2018年就可迎頭趕上英特爾。

台積電在中科12吋廠Fab 15的第5期至第7期工程正加快趕工,這三座晶圓廠未來將成為10奈米及7奈米生產重鎮。業界預估,完工後總月產能將上看9~10萬片。據了解,台積電2017年開始量產10奈米晶圓,2018年7奈米就可進入量產。
 
英特爾因為在10奈米量產上遇到不少問題,所以改變產品推出時程,處理器製程世代交替由過去的Tick-Tock改成了Tick-Tock-Tock。因此,英特爾今年即將推出的新款處理器Kabylake仍採用14奈米生產,2017年才推出10奈米Cannonlake處理器,2018年及2019年的製程主力仍以10奈米為主。
 
設備業者指出,英特爾10奈米晶片密度(density)大約與台積電7奈米相當,所以,台積電若能順利在2018年開始量產7奈米處理器,就技術研發上來看,就等於追上了英特爾的腳步。
 
台積電下半年將開始進入10奈米量產準備階段,7奈米與10奈米屬於同一製程節點世代,有高達9成以上設備可以共用,與20/16奈米的布局相同。劉德音在技術研討會中說明,與10奈米相較,7奈米的速度可提高15~20%,同一速度下功耗可降低35~40%,而且晶片密度將是10奈米的1.63倍。
 
不同於台積電在16奈米製程主攻行動裝置處理器,10/7奈米布局更多元,提供汽車或物聯網等平台。
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